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       MST1691能夠支持DCM和Quasi-Resonant反激轉(zhuǎn)換器，能夠提高系統(tǒng)的效率。次級邊導(dǎo)通時，電流首先通過功率MOSFET的體二極管，電路檢測到SR電壓比GND電壓低約0.2V時，立即打開功率MOSFET，降低系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗。當(dāng)Ton超過約320ns時，功率MOSFET驅(qū)動的邏輯上拉會關(guān)閉，而后線性驅(qū)動器介入工作。當(dāng)通過功率MOSFET的電流下降使得SR電壓上升至約-30mV時，線性驅(qū)動器便會通過降低DRV的電壓使MOSFET的阻抗增大，從而將SR端電壓維持在-30mV左右。當(dāng)電流接近0時，線性驅(qū)動器的調(diào)節(jié)無法將SR電壓繼續(xù)維持在-30mV，SR電壓會繼續(xù)上升，達到-12mV左右時，芯片會立即通過邏輯將功率MOSFET完全關(guān)斷。功率MOSFET關(guān)閉后，MD1691需要檢測到SR端電壓達到約6V以上，且持續(xù)時間大于0.3us后，才認(rèn)為是一次有效的原邊導(dǎo)通；而后SR下降到-0.2后立刻打開MOS管；如未檢測到有效的原邊導(dǎo)通，但SR仍低于-0.2V，則需要等待大約1.7us后才打開MOS管。

u  消隱功能

       MST1691在功率MOSFET開啟和關(guān)閉后都有消隱功能，確保無論開關(guān)都會持續(xù)一定時間。其中開啟消隱時間為0.64us，關(guān)閉消隱時間設(shè)定為1.8us。

    MST1691欠壓保護功能 (UVLO)

       當(dāng)VCC降低到V_UVLO2以下時，電路處于睡眠模式，MOSFET不會被打開。在系統(tǒng)上電后的一段時間，由于VCC電壓未達到V_UVLO1，功率MOSFET不會被打開，完全由功率MOSFET的體二極管進行續(xù)流，直到VCC電壓超過V_UVLO1，芯片開始正常開關(guān)。