MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產生大的ID。除了以上產品外，公司同時還供應有三端穩(wěn)壓芯片、穩(wěn)壓管等產品，我們公司具備有*實戰(zhàn)的技術,專業(yè)的運營團隊,為您創(chuàng)造以用戶體驗為前提的服務，服務的至善至美是我們永無止境的追求。因為以民為本，所以值得信賴；因為專業(yè)專職，所以值得選擇.以上信息僅供參考，詳情請致電相關工作人員為您解答。
