開關(guān)電源中的MOS管功率變換電路

1、 MOS管的運作原理：目前應(yīng)用*廣泛的絕緣柵場效應(yīng)管是 MOSFET （ MOS管），是利用半導(dǎo)體表面的電聲效應(yīng)進行運作的。也稱為表面場效應(yīng)器件。由于它的柵極處于不導(dǎo)電狀態(tài)，所以輸入電阻可以大大提高，*高可達105歐姆， MOS管是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。
　　2、常見的原理圖：

　　3、運作原理：

　　R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關(guān) MOS管并接，使開關(guān)管電壓應(yīng)力減少，EMI減少，不發(fā)生二次擊穿。在開關(guān)管Q1關(guān)斷時，變壓器的原邊線圈易產(chǎn)生尖峰電壓和尖峰電流，這些元件組合一起，能很好地吸收尖峰電壓和電流。從R3測得的電流峰值信號參與當前運作周波的占空比控制，因此是當前運作周波的電流限制。當R5上的電壓達到1V時，UC3842停止運作，開關(guān)管Q1立即關(guān)斷。

　　R1和Q1中的結(jié)電容CGS、CGD一起組成RC網(wǎng)絡(luò)，電容的充放電直接影響著開關(guān)管的開關(guān)速度。R1過小，易引起振蕩，電磁干擾也會很大；R1過大，會降低開關(guān)管的開關(guān)速度。Z1通常將 MOS管的GS電壓限制在18V以下，從而保護了 MOS管。

　　Q1的柵極受控電壓為鋸形波，當其占空比越大時，Q1導(dǎo)通時間越長，變壓器所儲存的能量也就越多；當Q1截止時，變壓器通過D1、D2、R5、R4、C3釋放能量，同時也達到了磁場復(fù)位的目的，為變壓器的下一次存儲、傳遞能量做好了準備。IC根據(jù)輸出電壓和電流時刻調(diào)整著⑥腳鋸形波占空比的大小，從而穩(wěn)定了整機的輸出電流和電壓。

　　C4和R6為尖峰電壓吸收回路。

　　4、推挽式功率變換電路：

　　Q1和Q2將輪流導(dǎo)通。

尊敬的客戶：

您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)業(yè)、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)業(yè)有三端穩(wěn)壓芯片，DC-DC升壓芯片，電壓檢測芯片，MOS管等。本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)業(yè)。人們將竭誠為您服務(wù)！

上一篇： mos管和三極管相比優(yōu)缺點
下一篇： MOS管與三極管的各自應(yīng)用特點

聯(lián)系電話：0755-83221606 公司地址：深圳市龍崗區(qū)萬科紅立方大廈1612室

服務(wù)電話：13600198100

工作時間
早9:00 - 晚18:00
周六日休息