正確選擇MOS管是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題,下面我們來(lái)學(xué)習(xí)下MOS管的正確的選擇方法。
**步:選用N溝道還是P溝道
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的**步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。
要選擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓,以及在設(shè)計(jì)中*簡(jiǎn)易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的*大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOS管不會(huì)失效。就選擇MOS管而言,必須確定漏極至源極間可能承受的*大電壓,即*大VDS。知道MOS管能承受的*大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設(shè)計(jì)人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍,確保電路不會(huì)失效。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他**因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。
**步:確定額定電流
**步是選擇MOS管的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定,該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的*大電流。與電壓的情況相似,設(shè)計(jì)人員必須確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流,即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的*大電流,只需直接選擇能承受這個(gè)*大電流的器件便可。
選好額定電流后,還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下,MOS管并不是理想的器件,因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗,這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會(huì)越小;反之RDS(ON)就會(huì)越高。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。
需要提醒設(shè)計(jì)人員,一般來(lái)說(shuō)MOS管規(guī)格書(shū)標(biāo)注的Id電流是MOS管芯片的*大常態(tài)電流,實(shí)際使用時(shí)的*大常態(tài)電流還要受封裝的*大電流限制。因此客戶設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)的*大使用電流設(shè)定要考慮封裝的*大電流限制。建議客戶設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)的*大使用電流設(shè)定更重要的是要考慮MOS的內(nèi)阻參數(shù)。
技術(shù)對(duì)器件的特性有著重大影響,因?yàn)橛行┘夹g(shù)在提高*大VDS時(shí)往往會(huì)使RDS(ON)增大。對(duì)于這樣的技術(shù),如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開(kāi)發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù),其中*主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。
在溝道技術(shù)中,晶片中嵌入了一個(gè)深溝,通常是為低電壓預(yù)留的,用于降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)。為了減少*大VDS對(duì)RDS(ON)的影響,開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了外延生長(zhǎng)柱/蝕刻柱工藝。例如,飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了稱為SupeRFET的技術(shù),針對(duì)RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。這種對(duì)RDS(ON)的關(guān)注十分重要,因?yàn)楫?dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓升高時(shí),RDS(ON)會(huì)隨之呈指數(shù)級(jí)增加,并且導(dǎo)致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數(shù)關(guān)系變成了線性關(guān)系。這樣,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在擊穿電壓達(dá)到600V的情況下,實(shí)現(xiàn)理想的低RDS(ON)。結(jié)果是晶片尺寸可減小達(dá)35%。而對(duì)于*終用戶來(lái)說(shuō),這意味著封裝尺寸的大幅減小。
第三步:確定熱要求
選擇MOS管的下一步是計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,即*壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)*壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的**余量,能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及*大的結(jié)溫。
器件的結(jié)溫等于*大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=*大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據(jù)這個(gè)方程可解出系統(tǒng)的*大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。由于設(shè)計(jì)人員已確定將要通過(guò)器件的*大電流,因此可以計(jì)算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡(jiǎn)單熱模型時(shí),設(shè)計(jì)人員還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會(huì)立即升溫。
雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過(guò)*大值,并形成強(qiáng)電場(chǎng)使器件內(nèi)電流增加。該電流將耗散功率,使器件的溫度升高,而且有可能損壞器件。半導(dǎo)體公司都會(huì)對(duì)器件進(jìn)行雪崩測(cè)試,計(jì)算其雪崩電壓,或?qū)ζ骷姆€(wěn)健性進(jìn)行測(cè)試。計(jì)算額定雪崩電壓有兩種方法;一是統(tǒng)計(jì)法,另一是熱計(jì)算。而熱計(jì)算因?yàn)檩^為實(shí)用而得到廣泛采用。除計(jì)算外,技術(shù)對(duì)雪崩效應(yīng)也有很大影響。例如,晶片尺寸的增加會(huì)提高抗雪崩能力,*終提高器件的穩(wěn)健性。對(duì)*終用戶而言,這意味著要在系統(tǒng)中采用更大的封裝件。
第四步:決定開(kāi)關(guān)性能
選擇MOS管的*后一步是決定MOS管的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多,但*重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗,因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低,器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗,設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá):Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響*大。