MOS管的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是*高的，特別在很低的開關(guān)頻率時。
2. 由于MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
高電平時和低電平時的靜態(tài)功耗。
3. MOSFET 驅(qū)動器交越導通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。
由于MOSFET 驅(qū)動器交越導通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動級的P溝道和N 溝道場效應(yīng)管（FET）在其導通和截止狀態(tài)之間切換時同時導通而引起的。
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